URE-2000/34型为单面接近接触式光刻机，其兼顾分辨率与操作灵活性，尤其适合需快速原型验证的场景（如高校实验室、初创芯片设计公司及MEMS器件厂商），设备具有操作方便、稳定、可靠等特点。
参数名称 | 数值以及说明 | 单位 |
曝光面积 | 110×110—210×210 | mm |
曝光波长 | 254、310、365、405 | nm |
光刻分辨力 | 0.8—1.2 | μm |
照明不均匀性 | ≤2%(φ100 mm),≤3%(φ200 mm) | |
光源类型 | LED或汞灯：350W、1000W; | |
曝光能量密度 | LED:≥100汞灯：≥40 | mw/cm² |
曝光量设定 | 倒计时方式，0.1-999.9任意设定 | S |
曝光间隙设定 | 数值设定 |
l 采用专利技术-积木错位蝇眼透镜消衍射技术，曝光图形质量好，光刻分辩力高；
l 采用i线(365 nm)紫外曝光光源和先进的光学系统实现高均匀照明，光源聚光角小，平行性好；
l 采用专利技术一高精度快速自动调平机构、调焦机构实现自动基片调平、调焦，对大、小基片(含碎片)均具有高调平精度；
l 配置高倍率双目双视场显微镜和22英寸宽屏液晶显示器，既可通过目镜目视对准，也可通过CCD+显示器对准，对准精度高，过程直观、操作方便；D可数字设定对准间隙和曝光间隙，自动分离对准间隙和消除曝光间隙；D具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光、接近式曝光四种功能；D上、下基片采用抽拉式，操作方便；
l 具有纳米压印接口功能；
l 具有碎片处理功能；
l 整机自动化程度高，性能可靠、适用范围广；
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