成都晶普科技有限公司
产品模型

紫外投影光刻机-投影光刻机 UVSTEP-50I01

      中国科学院光电技术研究所的UVSTEP-50I01为紫外投影光刻机,可1:1曝光掩膜图案,批处理生产效率快。具有三点调平,离轴对准,调焦曝光等功能,支持硅片、芯体或其他产品的曝光,可满足用户的定制化需求。


技术指标

 

光刻波段

i-line(365 nm)@LED

有效视场

50mmX50mm

曝光强度

40mw/cm²@硅片面

照明均匀性

≤±3%

分辨率

5μm

倍率

1:1

对准精度

±1μm(标记对准模式)/5μm(样片轮廓对准式)

基底类型

4~8 inch标准晶圆/用户定制(非标准基底)

单次上盘样片数量

100@方形载盘(φ7 mm)

生产效率

>900/小时@φ7mm圆形金属基底(上线验证)

 


产品特点

l  自动完成样片盘中所有样片的轮廓对准、图层对准、检焦及曝光;

l  可适应各类定制化样片;

l  具有批处理效率高、自动化程度高、光刻质量高、曝光一致性好的特点。

l  可提供样片检测模块供用户选配,能自动完成样片缺陷检测及套刻精度检测,为用户精细化生产提供依据。


投影光刻机 UVSTEP-50I01

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      中国科学院光电技术研究所的UVSTEP-50I01为紫外投影光刻机,可1:1曝光掩膜图案,批处理生产效率快。具有三点调平,离轴对准,调焦曝光等功能,支持硅片、芯体或其他产品的曝光,可满足用户的定制化需求。


投影光刻机 UVSTEP-50I01
产品介绍

      中国科学院光电技术研究所的UVSTEP-50I01为紫外投影光刻机,可1:1曝光掩膜图案,批处理生产效率快。具有三点调平,离轴对准,调焦曝光等功能,支持硅片、芯体或其他产品的曝光,可满足用户的定制化需求。


规格参数

 

光刻波段

i-line(365 nm)@LED

有效视场

50mmX50mm

曝光强度

40mw/cm²@硅片面

照明均匀性

≤±3%

分辨率

5μm

倍率

1:1

对准精度

±1μm(标记对准模式)/5μm(样片轮廓对准式)

基底类型

4~8 inch标准晶圆/用户定制(非标准基底)

单次上盘样片数量

100@方形载盘(φ7 mm)

生产效率

>900/小时@φ7mm圆形金属基底(上线验证)

 


产品特点

l  自动完成样片盘中所有样片的轮廓对准、图层对准、检焦及曝光;

l  可适应各类定制化样片;

l  具有批处理效率高、自动化程度高、光刻质量高、曝光一致性好的特点。

l  可提供样片检测模块供用户选配,能自动完成样片缺陷检测及套刻精度检测,为用户精细化生产提供依据。